[发明专利]一种芯片的制作方法在审
| 申请号： | 201910672886.7 | 申请日： | 2019-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN110349842A | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | 尚宏博;肖洋 | 申请（专利权）人： | 四川科尔威光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 成都慕川专利代理事务所(普通合伙) 51278 | 代理人： | 谢芳 |
| 地址： | 610041 四川省成都市高新*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种芯片的制作方法，涉及光电技术领域。包括：于基片表面开设凹陷部。对基片覆盖种子层，于芯片图形区制作芯片图形并于凹陷部的侧壁制作侧面图形。芯片图形区位于基片的表面并位于凹陷部的口部的边缘，每个凹陷部均对应设置至少一个芯片图形区。将多余的种子层去除，切割得到芯片，以使每个芯片的芯片图形区与凹陷部的侧壁一一对应。其大大简化了制作侧壁金属图形和正面金属图形时的流程和操作难度，并且能够尽可能避免侧壁金属图形和正面金属图发生错位，优化了侧壁金属图形和正面金属图之间的导通效果，提升了芯片质量和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片图形 凹陷部 芯片 侧壁金属 制作 种子层 侧壁 光电技术领域 金属 基片表面 金属图形 导通 口部 去除 切割 错位 侧面 覆盖 优化 | ||
【主权项】：
1.一种芯片的制作方法，其特征在于，包括：于基片表面开设凹陷部；对所述基片覆盖种子层，于芯片图形区制作芯片图形并于所述凹陷部的侧壁制作侧面图形；所述芯片图形区位于所述基片的表面并位于所述凹陷部的口部的边缘，每个所述凹陷部均对应设置至少一个所述芯片图形区；将多余的所述种子层去除，切割得到所述芯片，以使每个所述芯片的所述芯片图形区与所述凹陷部的侧壁一一对应。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于四川科尔威光电科技有限公司，未经四川科尔威光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910672886.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
