[发明专利]TFT-LCD阵列基板铜导线刻蚀废水的处理方法有效
| 申请号： | 201910673977.2 | 申请日： | 2019-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN110304780B | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 龙江;陈露;吴文彪 | 申请（专利权）人： | 东江环保股份有限公司 |
| 主分类号： | C02F9/10 | 分类号： | C02F9/10;C01B21/48;C01C1/02;C01F11/46;C01G3/02;C02F101/10;C02F101/16;C02F101/20;C02F103/34 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 潘霞 |
| 地址： | 518051 广东省深圳市南山区高新区北区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种TFT‑LCD阵列基板铜导线刻蚀废水的处理方法。上述TFT‑LCD阵列基板铜导线刻蚀废水的处理方法包括如下步骤：向铜刻蚀废水中加入催化剂，以催化铜刻蚀废水进行氧化反应，然后除去所催化剂，得到第一处理液；调节第一处理液的pH为10～14，将第一处理液在40℃～90℃下进行汽提处理，得到汽提液和氨水，再将汽提液过滤，得到第二处理液和氧化铜；向第二处理液中依次加入硝酸钙和可溶性碳酸盐，再经固液分离，得到第三处理液和硫酸钙；将第三处理液蒸馏处理，得到馏出液和硝酸盐。上述铜刻蚀废水的处理方法能够使处理后的铜刻蚀废水直接纳管排放，且处理过程中能够使铜刻蚀废水中的资源回收利用。 | ||
| 搜索关键词： | tft lcd 阵列 基板铜 导线 刻蚀 废水 处理 方法 | ||
【主权项】：
1.一种TFT‑LCD阵列基板铜导线刻蚀废水的处理方法，其特征在于，包括如下步骤：向铜刻蚀废水中加入催化剂，以催化所述铜刻蚀废水中的双氧水进行氧化反应，然后除去所述催化剂，得到第一处理液，其中，所述催化剂中含有过渡金属元素；调节所述第一处理液的pH为10～14，将所述第一处理液在40℃～90℃下进行汽提处理，得到汽提液和氨水，再将所述汽提液过滤，得到第二处理液和氧化铜；向所述第二处理液中依次加入硝酸钙和可溶性碳酸盐，再经固液分离，得到第三处理液和硫酸钙；将所述第三处理液蒸馏处理，得到馏出液和硝酸盐。
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