[发明专利]一种考虑交叉饱和电感的无位置传感器控制方法

摘要

本发明公开了一种考虑交叉饱和电感的高频方波电压注入方法，首先在有位置传感器控制的不同负载情况下，分别在d轴与q轴中注入高频方波电压，通过高频响应电流提取到交叉饱和电感分量，实现对交叉饱和电感的测量；然后在无位置传感器控制中对由交叉饱和电感导致的转子位置估计偏差进行补偿。本发明通过有位置控制时对不同负载情况下交叉饱和电感进行测量，其中，通过交叉饱和相位角对交叉饱和电感进行间接测量；在无位置控制中对由交叉饱和电感引起的转子位置估计偏差进行补偿，可提高转子位置估计精度，从而提高无位置传感器控制系统的性能，并且本发明提出的方法对不同形式的电机具有通用性。

主权项

1.一种考虑交叉饱和电感的高频方波电压注入无位置传感器控制方法，其特征在于：包括以下步骤：/n步骤一、不同的负载情况下，分别在d轴与q轴中注入高频方波电压，将响应电流进行采样并变换到静止坐标系，进而通过滤波器提取静止坐标系下的高频电流分量，根据相应注入电压的符号提取高频电流分量的包络线，并对包络线求和，得到含有直流分量的正余弦信号；/n其中所述根据注入电压符号提取高频电流分量包络线的原则为：对每一时刻αβ轴高频电流都乘以对应采样时刻高频电压的符号或者对应采样时刻高频电压符号的相反数；/n步骤二、将所述步骤一得到的正余弦信号通过一个高通滤波器滤除直流分量，将滤波后的正余弦信号通过一个锁相环提取相位信息，该相位信息中包含由于交叉饱和电感存在所导致的相位分量，定义其相位分量为交叉饱和电感相位角φ₁与φ₂；/n步骤三、对编码器所输出的位置信号取正余弦函数，将上述步骤二中相同参数的高通滤波器和锁相环施加到所取的正余弦函数，进而提取到参考相位信息；/n步骤四、将所述步骤二与步骤三中所得相位做差，若在d轴注入高频方波电压，则所得为相位角φ₁；若在q轴注入高频方波电压，则所得为相位角φ₂；由此得到与dq电流相对应的由交叉饱和电感相位角所导致的一组交叉饱和电感相位角；将上述过程在不同负载情况下重复实施，得到不同负载下由于交叉饱和电感相位角φ₁与φ₂所致的位置估计偏差θ_m/2；/n步骤五、将上述步骤四所得不同负载情况下由交叉饱和电感相位角所致的转子位置估计偏差，在无位置控制算法中进行补偿，以抵消由于交叉饱和电感带来的位置偏差。/n