[发明专利]一种晶圆结构及其制造方法、芯片结构在审
| 申请号： | 201910677112.3 | 申请日： | 2019-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN110379790A | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 李漾;胡胜 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 党丽 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶圆结构及其制造方法、芯片结构，在第一芯片上形成第一电容极板，并在第二芯片上形成第二电容极板，且两个芯片的正面通过介质材料的键合层正面层叠在一起，这样，实现两片芯片的键合的同时，形成了由第一电容极板、第二电容极板以及器件的介质材料构成的电容结构，电容极板及介质材料可以在芯片中器件的互连结构形成过程中一并形成，无需额外的工艺，提高器件及工艺集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 电容极板 芯片 介质材料 芯片结构 圆结构 种晶 电容结构 互连结构 集成度 键合层 键合 制造 | ||
【主权项】：
1.一种芯片结构，其特征在于，包括：第一芯片，所述第一芯片包括第一衬底、第一衬底正面上介质材料的第一覆盖层、形成于所述第一覆盖层中的第一电容极板以及与所述第一电容极板电连接的第一极板互连结构，以及形成于所述第一覆盖层之上的介质材料的第一键合层；第二芯片，所述第二芯片包括第二衬底、第二衬底正面上介质材料的第二覆盖层、形成于所述第二覆盖层中的第二电容极板以及与所述第二电容极板电连接的第二极板互连结构，以及形成于所述第二覆盖层之上的介质材料的第二键合层；其中，所述第一芯片和所述第二芯片通过所述第一键合层和所述第二键合层正面相对层叠，且所述第一电容极板与所述第二电容极板相对设置，所述第一电容极板与所述第二电容极板之间仅设置有介质材料。
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