[发明专利]具有JFET区布图设计的半导体器件在审
| 申请号： | 201910677448.X | 申请日： | 2019-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN112289845A | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 张永杰;李浩南;陈伟钿;周永昌 | 申请（专利权）人： | 创能动力科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/78;H01L21/336;H01L27/02 |
| 代理公司： | 深圳市六加知识产权代理有限公司 44372 | 代理人： | 宋建平 |
| 地址： | 中国香港新界大埔白石角*** | 国省代码： | 香港;81 |
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| 摘要： | 本发明公开具有JFET区布图设计的半导体器件。半导体器件包括半导体层、阱区、源区、栅区、漏电极层、和JFET区。半导体层具有第一面和第二面，半导体层包括基底和漂移区。阱区设置在漂移区中并且从第一面朝向基底的方向延伸。源区设置在阱区中，栅区设置在第一面上并且与源区和阱区接触。漏电极层设置在第二面上。JFET区设置在漂移区中并且从第一面朝向基底的方向延伸，JFET区与栅区接触，JFET区包括多个JFET子区，在顶平面视图下，相邻JFET子区被阱区隔开。根据本发明的半导体器件具有更好的电流能力和电压阻断能力、更好的可靠性、稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 jfet 区布图 设计 半导体器件 | ||
【主权项】：
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