[发明专利]用于形成热稳定有机硅聚合物膜的方法有效
申请号: | 201910678900.4 | 申请日: | 2019-07-22 |
公开(公告)号: | CN110776639B | 公开(公告)日: | 2022-05-10 |
发明(设计)人: | T·J·V·布兰夸特 | 申请(专利权)人: | ASMIP控股有限公司 |
主分类号: | C08G77/04 | 分类号: | C08G77/04;C08G77/38;C08G77/60;C08G77/62;C08J3/28 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 乐洪咏;朱黎明 |
地址: | 荷兰阿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种用于形成热稳定有机硅聚合物膜的方法,包括:(i)在反应空间中使用含硅前体在衬底上沉积有机硅聚合物,其主链由硅原子构成;以及(ii)以增加Si‑H键的方式在反应空间中不存在前体的情况下将在步骤(i)中沉积的所述有机硅聚合物暴露于氢等离子体,并且减小所述有机硅聚合物中的C‑H键而不沉积有机硅聚合物。 | ||
搜索关键词: | 用于 形成 稳定 有机硅 聚合物 方法 | ||
【主权项】:
1.一种形成热稳定有机硅聚合物的方法,包括:/n(i)在反应空间中使用含硅前体在衬底上沉积有机硅聚合物,所述有机硅聚合物的主链主要或部分地由硅原子构成;以及/n(ii)以增加Si-H键的方式在所述反应空间中不存在所述前体的情况下将在步骤(i)中沉积的所述有机硅聚合物暴露于氢等离子体,并且减小所述有机硅聚合物中的C-H键而不沉积有机硅聚合物。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于ASMIP控股有限公司,未经ASMIP控股有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910678900.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。