[发明专利]电子器件、显示装置、其制备方法和化合物在审

专利信息
申请号: 201910681001.X 申请日: 2019-07-26
公开(公告)号: CN110783462A 公开(公告)日: 2020-02-11
发明(设计)人: 马库斯·赫默特;斯特芬·维尔曼;托马斯·罗泽诺 申请(专利权)人: 诺瓦尔德股份有限公司
主分类号: H01L51/30 分类号: H01L51/30;H01L51/46;H01L51/54;C07F1/02;C09K11/06;G09G3/3208;H01L27/32;H01L51/05;H01L51/42;H01L51/50
代理公司: 11219 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 王潜;郭国清
地址: 德国德*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 发明涉及一种电子器件、显示装置、其制备方法和化合物。具体地,本发明涉及一种电子器件、包含其的显示装置、其制备方法和化合物,所述电子器件包含空穴注入层和/或空穴传输层和/或空穴产生层,其中所述空穴注入层、所述空穴传输层和所述空穴产生层中的至少一者包含配位络合物,所述配位络合物包含至少一个正电性原子M和至少一个由下式(I)表示的阴离子甲基化物配体L,其中A
搜索关键词: 电子器件 式( I ) 空穴产生层 空穴传输层 空穴注入层 配位络合物 显示装置 制备 卤化 甲基化物 磺酰基 磷酰基 叔烃基 阴离子 杂芳基 正电性 脂环族 芳基 配体 脂族 酰基
【主权项】:
1.一种电子器件,所述电子器件包含空穴注入层和/或空穴传输层和/或空穴产生层,其中所述空穴注入层、所述空穴传输层和所述空穴产生层中的至少一者包含配位络合物,所述配位络合物包含至少一个正电性原子M和至少一个由下式(I)表示的阴离子甲基化物配体L:/n
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