[发明专利]电子器件、显示装置、其制备方法和化合物在审
申请号: | 201910681001.X | 申请日: | 2019-07-26 |
公开(公告)号: | CN110783462A | 公开(公告)日: | 2020-02-11 |
发明(设计)人: | 马库斯·赫默特;斯特芬·维尔曼;托马斯·罗泽诺 | 申请(专利权)人: | 诺瓦尔德股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/30 | 分类号: | H01L51/30;H01L51/46;H01L51/54;C07F1/02;C09K11/06;G09G3/3208;H01L27/32;H01L51/05;H01L51/42;H01L51/50 |
代理公司: | 11219 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 王潜;郭国清 |
地址: | 德国德*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明涉及一种电子器件、显示装置、其制备方法和化合物。具体地,本发明涉及一种电子器件、包含其的显示装置、其制备方法和化合物,所述电子器件包含空穴注入层和/或空穴传输层和/或空穴产生层,其中所述空穴注入层、所述空穴传输层和所述空穴产生层中的至少一者包含配位络合物,所述配位络合物包含至少一个正电性原子M和至少一个由下式(I)表示的阴离子甲基化物配体L,其中A | ||
搜索关键词: | 电子器件 式( I ) 空穴产生层 空穴传输层 空穴注入层 配位络合物 显示装置 制备 卤化 甲基化物 磺酰基 磷酰基 叔烃基 阴离子 杂芳基 正电性 脂环族 芳基 配体 脂族 酰基 | ||
【主权项】:
1.一种电子器件,所述电子器件包含空穴注入层和/或空穴传输层和/或空穴产生层,其中所述空穴注入层、所述空穴传输层和所述空穴产生层中的至少一者包含配位络合物,所述配位络合物包含至少一个正电性原子M和至少一个由下式(I)表示的阴离子甲基化物配体L:/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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