[发明专利]封装结构的形成方法有效

申请号：	201910681799.8	申请日：	2019-07-26
公开（公告）号：	CN110783208B	公开（公告）日：	2021-11-05
发明（设计）人：	石磊	申请（专利权）人：	南通通富微电子有限公司
主分类号：	H01L21/56	分类号：	H01L21/56;H01L21/60;H01L23/552;H01L23/31
代理公司：	上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294	代理人：	高德志
地址：	226001 江苏省南通市苏通科技产***	国省代码：	江苏;32
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摘要：	一种封装结构的形成方法，在将若干半导体芯片的功能面粘合在载板上后，形成包覆所述半导体芯片的非功能面和侧壁表面的第一屏蔽层；在每一个所述半导体芯片一侧的载板上对应粘合所述无需屏蔽的电子元件；形成覆盖所述第二屏蔽层、无需屏蔽的电子元件以及载板的塑封层；剥离所述载板，形成预封面板；在所述预封面板的背面形成与第一焊盘连接的第一外部接触结构以及与第二焊盘连接的第二外部接触结构。通过在第一屏蔽层上形成第二屏蔽层，所述第二屏蔽层能覆盖所述第一屏蔽层中厚度不均匀以及边缘覆盖不好的地方，从而使得第一屏蔽层和第二屏蔽层两者构成的整体屏蔽层是完整的，提高了屏蔽的效果。
搜索关键词：	封装结构形成方法
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【主权项】：

1.一种封装结构的形成方法，其特征在于，包括：/n提供若干半导体芯片，每个半导体芯片包括功能面和与功能面相向的非功能面，所述功能面上具有若干第一焊盘；/n提供无需屏蔽的电子元件，所述无需屏蔽的电子元件的表面具有若干第二焊盘；/n提供载板；/n将所述若干半导体芯片的功能面粘合在载板上；/n形成包覆所述半导体芯片的非功能面和侧壁表面的第一屏蔽层；/n在每一个所述半导体芯片一侧的载板上对应粘合所述无需屏蔽的电子元件，所述无需屏蔽的电子元件的具有第二焊盘的表面与载板的粘合表面相向；/n在所述第一屏蔽层上形成第二屏蔽层；/n形成覆盖所述第二屏蔽层、无需屏蔽的电子元件以及载板的塑封层；/n剥离所述载板，形成预封面板，所述预封面板背面露出半导体芯片的功能面上的第一焊盘以及无需屏蔽的电子元件的第二焊盘；/n在所述预封面板的背面形成与第一焊盘连接的第一外部接触结构以及与第二焊盘连接的第二外部接触结构。/n

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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