[发明专利]一种直拉单晶液位保护系统及其控制方法在审
| 申请号： | 201910682195.5 | 申请日： | 2019-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN110284184A | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 王建平;王鑫;王林 | 申请（专利权）人： | 内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 010070 内蒙古自*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 本发明提供一种直拉单晶液位保护系统，包括以下步骤：S1：根据导流筒下沿与坩埚内硅溶液的液面之间的距离，计算坩埚的理论位置；S2：监控坩埚的实际距离，并将坩埚的实际距离与坩埚的理论距离作对比，进行埚升控制。本发明的有益效果是使得直拉单晶液位保护系统结构简单，使用方便，通过判定坩埚的实际位置是否符合测算的坩埚理论位置，做出正确有效的防护动作，可以有效防止硅熔液因操作失误或系统失误导致的喷硅或爆炸事故，系统防护只需进行控制系统升级，投入成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 坩埚 液位保护 直拉单晶 理论位置 实际距离 导流筒下沿 爆炸事故 操作失误 控制系统 理论距离 实际位置 系统防护 系统结构 硅熔液 硅溶液 液面 判定 测算 防护 监控 升级 | ||
【主权项】：
1.一种直拉单晶液位保护系统控制方法，其特征在于：包括以下步骤：S1：根据导流筒下沿与坩埚内硅溶液的液面之间的距离，计算坩埚的理论位置；S2：监控所述坩埚的实际距离，并将所述坩埚的实际距离与所述坩埚的理论距离作对比，进行埚升控制。
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