[发明专利]半导体发光元件在审
| 申请号： | 201910682834.8 | 申请日： | 2019-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN110783435A | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 三木康宽;尺长功一 | 申请（专利权）人： | 日亚化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 11105 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 朴渊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体发光元件，其既能够降低正向电压，又能够提高发光输出，而且能够抑制电流密度分布的偏差。半导体发光元件(100)具备n电极，n电极延伸设置在绝缘膜上及n侧半导体层的外周部(12c)，该n电极具有通过第一n侧开口与n侧半导体层导通的第一n接触部(31)和分别在n侧半导体层的外周部(12c)的至少四个角上通过第二n侧开口与n侧半导体层导通的第二n接触部(32)，第一区块(51)中的第一n接触部(31)的面积比第二区块(52)中的第一n接触部(31)的面积大，第二分区(62)中的第一n接触部(31)的面积比第一分区(61)及第三分区(63)中的第一n接触部(31)的面积大。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体层 半导体发光元件 分区 侧开口 面积比 外周部 导通 区块 电流密度分布 发光输出 延伸设置 正向电压 绝缘膜 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光元件，其特征在于，具备：/n俯视时大致矩形的半导体层叠体，其具有n侧半导体层、设置于所述n侧半导体层上且设置于该n侧半导体层的除外周部以外的内侧区域的p侧半导体层；/n绝缘膜，其位于所述半导体层叠体上，具有设置于所述p侧半导体层上的p侧开口、设置于所述内侧区域的所述n侧半导体层上的多个第一n侧开口、设置于所述n侧半导体层的所述外周部上的多个第二n侧开口；/nn电极，其延伸设置在所述绝缘膜上及所述n侧半导体层的所述外周部，具有通过所述第一n侧开口与所述n侧半导体层导通的第一n接触部、分别在所述n侧半导体层的所述外周部的至少四个角通过所述第二n侧开口与所述n侧半导体层导通的第二n接触部；/np焊盘电极，其通过所述p侧开口与所述p侧半导体层导通，在俯视时，配置在包含所述半导体层叠体的中央部的区域，以两端在与所述半导体层叠体的一边平行的方向上接近所述n侧半导体层的所述外周部的方式延伸，设置成将所述半导体层叠体分为第一区域和第二区域，/n所述第一区域及所述第二区域分别具有在与所述半导体层叠体的一边正交的方向上将所述p焊盘电极和所述半导体层叠体的外周部之间二等分的、位于所述p焊盘电极侧的第一区块和位于所述半导体层叠体的外周部侧的第二区块，/n所述第一区域及第二区域的所述第二区块分别具有在与所述半导体层叠体的一边平行的方向上被三等分而成的第一分区、第三分区、位于所述第一分区和所述第三分区之间的第二分区，/n所述第一区域及所述第二区域的所述第一区块中的所述第一n接触部的面积比所述第一区域及所述第二区域的所述第二区块中的所述第一n接触部的面积大，/n所述第一区域及所述第二区域的所述第二分区中的所述第一n接触部的面积比所述第一区域及所述第二区域的所述第一分区及第三分区中的所述第一n接触部的面积大。/n
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