[发明专利]一种5G通信关键射频芯片材料有效
| 申请号： | 201910687251.4 | 申请日： | 2019-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN110400742B | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 北京大唐智创科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C09G1/02 |
| 代理公司： | 广州天河万研知识产权代理事务所(普通合伙) 44418 | 代理人： | 刘强;陈轩 |
| 地址： | 100089 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种5G通信关键射频芯片材料，该射频芯片材料的制备过程包括如下步骤：将氮化镓晶片经过初步的切割、磨削、研磨处理后，进行精抛光处理，精抛光后对氮化镓晶片表面进行清洗剂洗涤，然后干燥，即得射频芯片材料。本发明制备得到的射频芯片材料具有更低的表面粗糙度，表面光滑呈原子台阶形貌，且无划痕、凹坑等表面缺陷，在5G、物联网、智能汽车等应用领域有望得到广泛应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通信 关键 射频 芯片 材料 | ||
【主权项】：
1.一种5G通信关键射频芯片材料，其特征在于，所述射频芯片材料的制备过程包括如下步骤：将氮化镓晶片经过初步的切割、磨削、研磨处理后，进行精抛光处理，精抛光后对氮化镓晶片表面进行清洗剂洗涤，然后干燥，即得射频芯片材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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