[发明专利]平行板DBD等离子体发生器有效
申请号: | 201910687618.2 | 申请日: | 2019-07-29 |
公开(公告)号: | CN110430651B | 公开(公告)日: | 2023-05-05 |
发明(设计)人: | 吴丽;张文聪;余洁;刘壮;黄卡玛 | 申请(专利权)人: | 四川大学 |
主分类号: | H05H1/24 | 分类号: | H05H1/24 |
代理公司: | 成都擎智秉业专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人: | 李顺德 |
地址: | 610021 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明涉及等离子技术领域,本发明公开了一种平行板DBD等离子体发生器,包括气体输入端口、上极板和下极板,所述气体输入端口用于提供工作介质,其特征在于,所述气体输入端口位于上极板中轴线上,所述上极板和气体输入端口之间安装有集气罩,所述上极板分布有气孔,所述工作介质通过所述气孔填充到上极板和下极板之间。本发明的有益效果是,能够形成稳定均匀的介质分布,解决了平行板DBD等离子体发生器极板之间气体介质分布的均匀性问题,有利于提高等离子体流的连续性和稳定性。特别是通过选择极板气孔的分布形式,可以进一步提高工作介质分布均匀性。本发明的平行板DBD等离子体发生器可以广泛地适用于直流到微波频率的激励源。 | ||
搜索关键词: | 平行 dbd 等离子体 发生器 | ||
【主权项】:
1.平行板DBD等离子体发生器,包括气体输入端口、上极板和下极板,所述气体输入端口用于提供工作介质,其特征在于,所述气体输入端口位于上极板中轴线上,所述上极板和气体输入端口之间安装有集气罩,所述上极板分布有气孔,所述工作介质通过所述气孔填充到上极板和下极板之间。
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