[发明专利]一种改变充电方式的高磁通隔磁片在审
| 申请号： | 201910688565.6 | 申请日： | 2019-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN110601384A | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 刘孝军;朱仁胜;朱国栋;朱国辉 | 申请（专利权）人： | 徐州远洋磁性材料有限公司 |
| 主分类号： | H02J50/70 | 分类号： | H02J50/70 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 221000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改变充电方式的高磁通隔磁片，包括高分子基层、磁片层和隔磁层；高分子基层、磁片层和隔磁层从下往上依次铺设，磁片层包括上磁层和下磁层，所述上磁层下端设有多个上凹的第一凹槽，多个第一凹槽左右布置，下磁层上端设有多个下凹的第二凹槽，多个第二凹槽左右布置，并与多个第一凹槽对应设置，形成多个腔体，腔体内设有纳米层；隔磁层包括铜板层和石墨层，石墨层通过双面胶铺设在铜板层上端。本改变充电方式的高磁通隔磁片，结构合理简单，具有良好的高磁性能、良好的导热性能。 | ||
| 搜索关键词： | 磁片层 隔磁层 充电方式 左右布置 上端 高磁通 隔磁片 石墨层 铜板层 磁层 上磁 铺设 导热性能 高磁性能 纳米层 双面胶 腔体 上凹 下凹 下端 基层 体内 | ||
【主权项】：
1.一种改变充电方式的高磁通隔磁片，其特征在于，包括高分子基层(1)、磁片层和隔磁层；/n高分子基层(1)、磁片层和隔磁层从下往上依次铺设，磁片层包括上磁层(22)和下磁层(21)，所述上磁层(22)下端设有多个上凹的第一凹槽，多个第一凹槽左右布置，下磁层(21)上端设有多个下凹的第二凹槽，多个第二凹槽左右布置，并与多个第一凹槽对应设置，形成多个腔体，腔体内设有纳米层(23)；/n所述隔磁层包括铜板层(3)和石墨层(4)，石墨层(4)通过双面胶铺设在铜板层3上端。/n
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