[发明专利]湿法刻蚀方法在审
| 申请号： | 201910689404.9 | 申请日： | 2019-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN112309888A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 符德荣;林凤雏;高郁聪 | 申请（专利权）人： | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种湿法刻蚀方法，包括如下步骤：提供待处理基底，对待处理基底进行预热处理；使用湿法刻蚀溶液对预热处理后的待处理基底进行湿法刻蚀，湿法刻蚀溶液的温度大于待处理基底预热处理前的温度。本发明通过对待处理基底进行预热处理后再使用湿法刻蚀溶液对待处理基底进行湿法刻蚀，预热处理可以减小待处理基底与湿法刻蚀溶液之间的温差，甚至可以使得待处理基底的温度与湿法刻蚀溶液的温度相同，可以确保在湿法刻蚀过程中待处理基底表面的温度均匀分布，从而使得待处理基底表面不同区域具有相同的刻蚀速率；由于在湿法刻蚀之初所述待处理基底的温度已经与湿法刻蚀溶液的温度相近或相同，可以缩短湿法刻蚀的时间，提高湿法刻蚀的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 湿法 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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