[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201910689460.2 | 申请日： | 2019-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN112309955A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 张浩;郭雯;童哲源;于海龙;雒建明 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/48;H01L23/485;H01L23/535 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供基底，所述基底表面具有第一介质层；在所述第一介质层内形成第一开口，且所述第一开口底部暴露出部分基底表面；在所述第一开口底部的基底表面形成金属硅化物层；在所述第一开口内形成位于所述金属硅化物层表面的牺牲层；在所述第一介质层表面和金属硅化物层表面形成第二介质层；刻蚀部分所述第二介质层，在所述第二介质层内形成第二开口，且第二开口底部暴露出牺牲层顶部表面；形成所述第二开口之后，去除所述牺牲层；在去除所述牺牲层之后，在所述第一开口内和第二开口内形成导电结构。所述方法形成的半导体结构的性能较好。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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