[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201910690252.4 | 申请日： | 2019-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN111640704A | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 赖惠先;林昭维;朱家仪;李秋茂;吴仁国;吕前宏;童宇诚 | 申请（专利权）人： | 福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其形成方法。半导体器件中具有不同开口尺寸的第一隔离沟槽、第二隔离沟槽和第三隔离沟槽，并根据不同的开口尺寸对应调整填充在第一隔离沟槽、第二隔离沟槽和第三隔离沟槽中的绝缘材料。如此，即实现了半导体器件中沟槽隔离结构的多样性，从而可以根据不同的隔离区域对应采用不同的沟槽隔离结构，提高了沟槽隔离结构应用灵活性；并且，还有利于简化各个沟槽隔离结构的制备难度，提高半导体器件的生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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