[发明专利]存储装置在审
申请号: | 201910690354.6 | 申请日: | 2019-07-29 |
公开(公告)号: | CN111668367A | 公开(公告)日: | 2020-09-15 |
发明(设计)人: | 宇佐美贵德;石崎健士;北尾良平;小松克伊;岩崎刚之;坂田敦子 | 申请(专利权)人: | 东芝存储器株式会社 |
主分类号: | H01L43/08 | 分类号: | H01L43/08;H01L27/22;H01L45/00;H01L27/24;G11C11/16;G11C13/00 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 杨林勳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明的实施方式提供一种能够抑制半选择漏电流的存储装置。实施方式的存储装置具备:第1导电层;第2导电层;阻变元件,设置在第1导电层与第2导电层之间;及中间层,设置在阻变元件与第1导电层之间、及阻变元件与第2导电层之间中任一处,且包含硅(Si)及锗(Ge)中至少任一元素、碲(Te)及铝(Al)。 | ||
搜索关键词: | 存储 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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