[发明专利]一种晶圆的研磨控制方法及装置、研磨设备有效
| 申请号： | 201910690427.1 | 申请日： | 2019-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN110394727B | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 易洪昇;张志军;杨一凡 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/005 | 分类号： | B24B37/005;B24B49/02;H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 党丽 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶圆的研磨控制方法及装置、研磨设备，可以在设定的研磨参数下控制研磨机进行量产晶圆的研磨，当需要启动测试晶圆的监控时，在设定的研磨参数下控制研磨机进行测试晶圆的研磨，通过专用测量设备可以获得测试晶圆研磨后的第一整体厚度偏差，根据第一整体厚度偏差可以获得更新的研磨参数，以更新的研磨参数作为设定的研磨参数，控制研磨机进行量产晶圆的研磨，从而得到厚度更加均匀的晶圆，从而提高研磨后的晶圆的平整度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 研磨 控制 方法 装置 设备 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆的研磨控制方法，其特征在于，所述方法包括：S01，在设定的研磨参数下控制研磨机进行量产晶圆的研磨；S02，当需要启动测试晶圆的监控时，在所述设定的研磨参数下控制所述研磨机进行测试晶圆的研磨；S03，获得更新的研磨参数，并以所述更新的研磨参数作为设定的研磨参数，并返回S01，所述更新的研磨参数通过所述测试晶圆研磨后的第一整体厚度偏差确定，所述测试晶圆的第一整体厚度偏差通过专用测量设备获得。
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