[发明专利]PMOS触发的SCR器件、SCR器件的制造方法及SCR静电保护电路

摘要

本发明提供了一种PMOS触发的SCR器件、SCR器件的制造方法及SCR静电保护电路。其中，本发明提供的PMOS触发的SCR器件，包括埋氧化层，还包括依次设于埋氧化层表面的第一P+注入区、N阱区、P+注入触发区、P阱区和第一N+注入区，第一P+注入区连接于阳极，第一N+注入区连接于阴极，N阱区的远离埋氧化层的一侧设有栅极结构。具有如下有益效果：SCR的导通不依赖于传统结构中N阱和P阱之间结的反向击穿,而是通过开启PMOS管引入沟道电流，大大降低了SCR的触发电压；加快了SCR的开启速度，具备有效性和敏捷性；大大改善了SCR的ESD保护性能。