[发明专利]一种带扩散障片式氧传感器芯片

摘要

本发明公开了一种带扩散障片式氧传感器芯片，其特征是包括扩散障一、泵氧池外电极、泵氧池层、泵氧池内电极、测试空腔、中间层、参比池内电极、参比池层、参比池外电极和扩散障二共同组成芯片整体，所述扩散障一和扩散障二处的芯片整体从上到下共有九层，所述泵氧池层、中间层和参比池层都有氧化锆陶瓷电解质制成，所述泵氧池外电极、泵氧池内电极、参比池内电极和参比池外电极都为铂电极薄片层。本发明整体结构简单，感测灵敏度高，生产工艺容易控制，氧传感器芯片整体抗热振效果好，解决了普通氧传感器芯片大多通过异质烧结而成，由于异质在热振时膨胀系数不同，使得片式传感器芯片的热振效果差，加工工艺复杂的问题。

主权项

1.一种带扩散障片式氧传感器芯片，其特征是包括扩散障一、泵氧池外电极、泵氧池层、泵氧池内电极、测试空腔、中间层、参比池内电极、参比池层、参比池外电极和扩散障二共同组成芯片整体，扩散障一位于泵氧池外电极端部的电极上方，泵氧池外电极嵌装在泵氧池层的上表面上，扩散障一与泵氧池外电极泵氧池层相互连接形成一个整体，泵氧池内电极整体嵌装在泵氧池层的下表面，泵氧池内电极嵌装在泵氧池层下表面的位置与泵氧池外电极嵌装在泵氧池层上表面的位置相互对应，泵氧池层的下表面与中间层的上表面接触连接为一体，中间层的下表面与参比池层的上表面相互接触连接为一体，中间层的中间区域有测试空腔，泵氧池内电极的端部位于测试空腔的上表面内，参比池内电极的端部位于测试空腔的下表面内，参比池内电极整体嵌装在参比池层的上表面，参比池外电极整体嵌装在参比池层的下表面，参比池内电极嵌装在参比池层上表面的位置与参比池外电极嵌装在参比池层下表面的位置相互对应，扩散障二位于参比池外电极端部的电极下方，扩散障二与参比池外电极参比池层相互连接形成一个整体。