[发明专利]一种高晶界密度MoO3 有效
| 申请号： | 201910692722.0 | 申请日： | 2019-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN110482607B | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 王梁炳;解杨岑子;谢子铖;侯婷婷 | 申请（专利权）人： | 中南大学 |
| 主分类号： | B01J23/28 | 分类号： | B01J23/28;C01G39/02;C07C51/235;C07C63/06;C07C65/21;C07C63/70;C07C53/02 |
| 代理公司： | 长沙市融智专利事务所(普通合伙) 43114 | 代理人： | 盛武生;魏娟 |
| 地址： | 410083 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： |
本发明属于催化材料领域，具体涉及一种高晶界密度MoO |
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| 搜索关键词： | 一种 高晶界 密度 moo base sub | ||
【主权项】：
1.一种高晶界密度MoO3纳米晶，其特征在于，其晶界密度不低于30,000m/mg；优选不低于100,000m/mg；进一步优选不低于200,000m/mg；最优选为230,000～300,000m/mg。/n
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