[发明专利]一种外延设备的反应腔室的清洁方法在审
| 申请号： | 201910692757.4 | 申请日： | 2019-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN110331440A | 公开（公告）日： | 2019-10-15 |
| 发明（设计）人： | 孙明亮;吴明;林宗贤;郭松辉;赵培培 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/14 | 分类号： | C30B25/14;C30B25/08;C30B25/16 |
| 代理公司： | 上海立群专利代理事务所(普通合伙) 31291 | 代理人： | 杨楷;毛立群 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种外延设备的反应腔室的清洁方法，其特征在于，包括以下步骤：沉积物去除步骤，去除所述反应腔室内的界面上的沉积物；含碳半导体层形成步骤，在经由所述沉积物去除步骤处理后的所述反应腔室内的界面上形成含碳半导体层；本征半导体层形成步骤，在所述含碳半导体层形成步骤中形成的所述含碳半导体层上形成本征半导体层，利用碳元素能够抑制掺杂元素扩散的特性有效的抑制了自掺杂效应的发生。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体层 本征半导体层 沉积物去除 反应腔室 外延设备 反应腔 沉积物 室内 掺杂元素 清洁 碳元素 自掺杂 去除 扩散 | ||
【主权项】：
1.一种外延设备的反应腔室的清洁方法，其特征在于，包括以下步骤：沉积物去除步骤，去除所述反应腔室内的界面上的沉积物；含碳半导体层形成步骤，在经由所述沉积物去除步骤处理后的所述反应腔室内的界面上形成含碳半导体层；本征半导体层形成步骤，在所述含碳半导体层形成步骤中形成的所述含碳半导体层上形成本征半导体层。
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