[发明专利]遮蔽栅金属氧化物半导体场效晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201910693360.7 | 申请日： | 2019-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN112242432A | 公开（公告）日： | 2021-01-19 |
| 发明（设计）人： | 苏洪毅;何昌瑾;蒋永康 | 申请（专利权）人： | 力晶积成电子制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/49;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种遮蔽栅金属氧化物半导体场效晶体管及其制造方法，其中该遮蔽栅金属氧化物半导体场效晶体管，包括具有第一导电态的一外延层、位于外延层中的数个沟槽、位于沟槽内的遮蔽栅极、位于沟槽内的遮蔽栅极上的控制栅极、位于遮蔽栅极与外延层之间的一绝缘层、位于控制栅极与外延层之间的一栅极氧化层、位于遮蔽栅极与控制栅极之间的栅间氧化层、位于沟槽底部的外延层内的一第一掺杂区与位于沟槽底部与第一掺杂区之间的一第二掺杂区。所述第一掺杂区具有第二导电态，所述第二掺杂区具有所述第一导电态，通过所述第二掺杂区的存在来减少漏电路径，以改善击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 遮蔽 金属 氧化物 半导体 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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