[发明专利]一种层间距可调的钠离子电池用硒化铜纳米片阵列的制备方法及其应用

摘要

本发明提供了一种层间距可调的钠离子电池用硒化铜纳米片阵列的制备方法及其应用，所述硒化铜纳米片阵列是以高纯铜箔、硒源、氢氧化钠、强还原剂、插层剂为原料，以水为溶剂，在20～80℃下反应0.5～4 h，获得一种层间距可调的钠离子电池用硒化铜纳米片阵列。本发明的突出特点在于以较低的温度实现硒化铜层间距的调控，且该材料制备方法简单，能耗低，易于工业化大规模生产；其次硒化铜纳米片阵列排列一致性好，形貌可控，具有较高的比表面积。该材料用作钠离子电池负极材料时，表现出比容量高、倍率性能好、循环性能优越的优点。因此该材料有望在钠离子电池以及其他碱金属离子电池，热电材料等领域取得广泛应用。

主权项

1.一种层间距可调的钠离子电池用硒化铜纳米片阵列的制备方法，其特征在于步骤如下：（1）将高纯铜箔分别经丙酮、1 mol L^‑1的盐酸溶液、去离子水超声洗涤以除去铜箔表面的有机物和氧化物，然后真空60℃干燥5 h；（2）将一定量的氢氧化钠溶于还有插层剂分子的水溶液中，然后依次加入硒源、还原剂，在20～80℃快速搅拌10‑120 min使原料完全溶解得到混合溶液；（3）将经步骤（1）处理过的铜箔置于混合溶液中，在20～80℃温度下反应0.5～4 h，取出铜箔，用去离子水和乙醇洗涤多次，随后真空60℃干燥10 h即获得层间距可调的钠离子电池用硒化铜纳米片阵列。