[发明专利]一种抑制导电型碳化硅晶体生长中碳包裹体缺陷生成的方法有效
| 申请号： | 201910694854.7 | 申请日： | 2019-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN110331438B | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 吴会旺;赵丽霞;陈秉克;刘英斌;李胜华 | 申请（专利权）人： | 河北普兴电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02;C30B29/36 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 李坤 |
| 地址： | 050200 河北省石*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种抑制导电型碳化硅晶体生长中碳包裹体缺陷生成的方法。其是以碳粉、硅粉和氮气为原料合成含氮碳化硅粉料，然后以所述含氮碳化硅粉料为原料进行碳化硅单晶的生长，得碳化硅晶体。本发明使用含氮碳化硅粉体生长碳化硅晶体，可使氮掺杂在气相组分中分布的更均匀，使得晶片中电阻率均匀性更好，解决了由于外界通入氮气，氮气渗透不均匀，从而导致晶片内N掺杂浓度均匀性差，进而导致晶片电阻率均匀性差的问题。因此，本发明提供的抑制导电型碳化硅晶体中碳包裹体缺陷的方法适合用于生长导电型碳化硅晶体，尤其是适合制备大直径导电型碳化硅晶体，具有广阔的市场应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 抑制 导电 碳化硅 晶体生长 包裹 缺陷 生成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种抑制导电型碳化硅晶体生长中碳包裹体缺陷生成的方法，其特征在于，以碳粉、硅粉和氮气为原料合成含氮碳化硅粉料，然后以所述含氮碳化硅粉料为原料进行碳化硅单晶的生长，得碳化硅晶体。
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