[发明专利]半导体结构的制作方法在审
| 申请号： | 201910695395.4 | 申请日： | 2019-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN110783202A | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 王培勋;周智超;林群雄;蔡庆威;王志豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 72003 隆天知识产权代理有限公司 | 代理人： | 任芸芸;郑特强 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供半导体结构的制作方法，包括形成自基板凸起的半导体鳍状物，半导体鳍状物包括第一半导体材料的多个第一半导体层与第二半导体材料的多个第二半导体层交错堆叠，且第一半导体材料与第二半导体材料的组成不同；形成第一栅极堆叠于半导体鳍状物上；形成凹陷于半导体鳍状物中与第一栅极堆叠相邻的源极/漏极区中，且凹陷中露出第一半导体层与第二半导体层的侧壁；对半导体鳍状物进行蚀刻工艺，造成底切于第一栅极堆叠下；外延成长第一半导体材料的半导体延伸结构于半导体鳍状物的侧壁上以填入底切；以及自凹陷成长外延的源极/漏极结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体鳍状物 半导体材料 半导体层 栅极堆叠 凹陷 侧壁 底切 源极/漏极区 半导体结构 源极/漏极 基板凸起 交错堆叠 蚀刻工艺 延伸结构 填入 半导体 制作 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的制作方法，包括：/n形成自一基板凸起的一半导体鳍状物，该半导体鳍状物包括一第一半导体材料的多个第一半导体层与一第二半导体材料的多个第二半导体层交错堆叠，且该第一半导体材料与该第二半导体材料的组成不同；/n形成一第一栅极堆叠于该半导体鳍状物上；/n形成一凹陷于该半导体鳍状物中与该第一栅极堆叠相邻的一源极/漏极区中，且该凹陷中露出多个所述第一半导体层与多个所述第二半导体层的侧壁；/n对该半导体鳍状物进行一蚀刻工艺，造成一底切于该第一栅极堆叠下；/n外延成长该第一半导体材料的一半导体延伸结构于该半导体鳍状物的侧壁上以填入该底切；以及/n自该凹陷成长一外延的源极/漏极结构。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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