[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201910696157.5 | 申请日： | 2019-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN112309860B | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;吴凡 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，基底上形成有沟道叠层和横跨沟道叠层的栅极结构，沟道叠层包括牺牲层和沟道层；在栅极结构两侧的沟道叠层内形成凹槽；横向刻蚀凹槽露出的牺牲层，形成剩余牺牲层；在剩余牺牲层露出的沟道层中形成源漏掺杂区；在基底上形成层间介质层；刻蚀源区一侧的层间介质层，露出源区所对应沟道层的表面；刻蚀漏区一侧的层间介质层，露出漏区所对应沟道层的表面；在源区所对应沟道层表面形成第一金属硅化物层；在漏区所对应沟道层表面形成第二金属硅化物层；形成包覆第一金属硅化物层的第一导电插塞、包覆第二金属硅化物层的第二导电插塞。本发明降低第一导电插塞、第二导电插塞与源漏掺杂区的接触电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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