[发明专利]Si衬底InGaN可见光探测器及制备方法与应用

摘要

本发明公开了一种Si衬底InGaN可见光探测器及制备方法与应用，所述探测器包括从下到上依次排布的Si衬底、缓冲层、InGaN功能层和Ni/Au金属层电极，所述缓冲层为从下到上依次排布的AlN层、AlGaN层和GaN层；在Si衬底上外延生长缓冲层，在缓冲层上生长InGaN功能层；在InGaN功能层上表面进行光刻，确定电极形状，将Ni/Au金属层电极蒸镀在InGaN功能层上表面。优化探测器件的芯片参数，提升了可见光波段的量子效率；在探测芯片表面进行可见光增敏微纳结构设计，有效降低表面对可见光的反射损耗，增强可见光谐振吸收，实现高灵敏度高带宽探测。

主权项

1.Si 衬底InGaN可见光探测器，其特征在于，包括从下到上依次排布的Si衬底、缓冲层、InGaN功能层和Ni/Au金属层电极，所述缓冲层为从下到上依次排布的AlN层、AlGaN层和GaN层，InGaN功能层中In组分的摩尔分数为10~60%。