[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201910697157.7 | 申请日： | 2019-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN112310190A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;吴凡 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：基底；多个栅极结构，位于所述基底上；位于所述栅极结构露出的基底中的源区或漏区；其中，与所述源区相邻的栅极结构之间具有第一间距，与所述漏区相邻的栅极结构之间具有第二间距，所述第二间距大于所述第一间距。和源极插塞至与源区所相邻栅极结构的距离相比，由于与所述源区相邻的栅极结构之间的间距更大，本发明实施例易于使漏极插塞至栅极结构的距离更大，从而有利于减小所述漏极插塞和栅极结构之间的寄生电容，进而有利于提高器件的特征频率，相应提高器件的频率特性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910697157.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体结构及其形成方法、晶体管
- 下一篇：依折麦布片剂及提高其溶出度的方法
- 同类专利
- 专利分类
