[发明专利]制造半导体器件的方法和半导体器件在审
| 申请号： | 201910697363.8 | 申请日： | 2019-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN110783192A | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 郑兆钦;陈奕升;江宏礼;陈自强 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L21/336;H01L29/775;H01L29/78;H01L29/161;H01L29/165;H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 在制造半导体器件的方法中，在底部鳍结构上方形成鳍结构，其中包含Ge的第一半导体层和第二半导体层交替堆叠。增大第一半导体层中的Ge浓度。在鳍结构上方形成牺牲栅极结构。在鳍结构的源极/漏极区上方形成源极/漏极外延层。去除牺牲栅极结构。去除沟道区中的第二半导体层，从而释放其中Ge浓度增大的第一半导体层。在Ge浓度增大的第一半导体层周围形成栅极结构。本发明的实施例还涉及半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体层 鳍结构 牺牲栅极结构 半导体器件 浓度增大 去除 源极/漏极区 源极/漏极 交替堆叠 栅极结构 沟道区 外延层 释放 制造 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括：/n形成鳍结构，其中，包含Ge的第一半导体层和第二半导体层交替堆叠在底部鳍结构上方；/n增大所述第一半导体层中的Ge浓度；/n在所述鳍结构上方形成牺牲栅极结构；/n在所述鳍结构的源极/漏极区上方形成源极/漏极外延层；/n去除所述牺牲栅极结构；/n去除沟道区中的所述第二半导体层，从而释放所述Ge浓度增大的所述第一半导体层；以及/n在所述Ge浓度增大的所述第一半导体层周围形成栅极结构。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
