[发明专利]高温下低介电损耗的钛酸铋钠基无铅压电陶瓷的制备方法有效

专利信息
申请号: 201910697614.2 申请日: 2019-07-31
公开(公告)号: CN110372372B 公开(公告)日: 2021-12-17
发明(设计)人: 王媛玉;谭柳茂 申请(专利权)人: 贵州大学
主分类号: C04B35/475 分类号: C04B35/475;C04B35/622;C04B41/88;C04B35/626;C04B35/64
代理公司: 杭州中成专利事务所有限公司 33212 代理人: 金祺
地址: 55002*** 国省代码: 贵州;52
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摘要: 发明公开了一种高温下低介电损耗的钛酸铋钠基无铅压电陶瓷的制备方法:以K2CO3、Na2CO3、Nb2O5、Bi2O3、Sb2O3、TiO2作为初始原料,按照(1‑x)Bi0.5Na0.5TiO3‑x(K0.5Na0.5)(Nb0.96Sb0.04)O3计量比称取初始原料,并进行混料,x为0.01~0.05;混合粉料预烧研磨,然后加入粘合剂,进行造粒和压片,所得的陶瓷圆片坯体先烧结,然后用银作为电极披覆在所得的烧结后陶瓷片的上下两面,高压下极化,得到高温下低介电损耗的钛酸铋钠基无铅压电陶瓷。可广泛应用于高温高频范围、要求性能稳定且压电响应灵敏的压电式传感器、滤波器等。
搜索关键词: 高温 下低介电 损耗 钛酸铋钠基无铅 压电 陶瓷 制备 方法
【主权项】:
1.高温下低介电损耗的钛酸铋钠基无铅压电陶瓷的制备方法,其特征是包括以下步骤:1)、以K2CO3、Na2CO3、Nb2O5、Bi2O3、Sb2O3、TiO2作为初始原料,按照(1‑x)Bi0.5Na0.5TiO3‑x(K0.5Na0.5)(Nb0.96Sb0.04)O3计量比称取初始原料,并进行混料处理,得混合粉料;所述x为0.01~0.05;2)、将步骤1)所得的混合粉料先于(850±50)℃下预烧(6±0.5)小时;3)、将步骤2)所得的预烧后粉料研磨至粒径为1~2微米的细微粉体;然后加入粘合剂,进行造粒和压片,得陶瓷圆片坯体;4)、先将陶瓷圆片坯体于1120~1180℃烧结2小时,然后用银作为电极,披覆在所得的烧结后陶瓷片的上下两面,在(5±1)千伏/毫米的高压下极化(20±2)分钟,得到高温下低介电损耗的钛酸铋钠基无铅压电陶瓷。
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