[发明专利]基于多层PN结的移相器及其制造和使用方法有效
| 申请号： | 201910698352.1 | 申请日： | 2019-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN110426868B | 公开（公告）日： | 2023-01-10 |
| 发明（设计）人： | 周秋桂;马克·海姆巴赫 | 申请（专利权）人： | 索尔思光电股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/025 | 分类号： | G02F1/025 |
| 代理公司： | 北京市领专知识产权代理有限公司 11590 | 代理人： | 林辉轮;张玲 |
| 地址： | 美国加利福尼亚威斯特希尔*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明揭露了一种光移相器及其制造方法。移相器包括基片，设置在基片上的p型掺杂电极和n型掺杂电极，设置在p型掺杂电极或n型掺杂电极上且与另一个电极电连接的第一掺杂半导体层，利用一个电极电连接第二掺杂半导体层的第一竖向区域，和覆层，其设置在第二半导体层，第一竖向区域，和至少第一和第二半导体层中每一个的第一侧壁上或上方。P型掺杂电极和n型掺杂电极在其间接口上构成pn结。第一和第二掺杂半导体分别具有与所述另一个电极和所述一个电极相同的掺杂类型。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 多层 pn 移相器 及其 制造 使用方法 | ||
【主权项】：
1.一种光移相器包含：基片；设置在基片上的p型掺杂电极和n型掺杂电极，p型掺杂电极和n型掺杂电极于其接触面上构成pn结；设置在p型掺杂电极和n型掺杂电极中其一电极上且与另外一个电极电连接的第一掺杂半导体层，第一掺杂半导体层具有与p型掺杂电极和n型掺杂电极中另外一个电极相同的掺杂类型；设置在第一掺杂半导体层上的第二掺杂半导体层，所述第二掺杂半导体层具有与p型掺杂电极和n型掺杂电极中其一相同的掺杂类型；设置在第二掺杂半导体层上的第三掺杂半导体层，所述第三掺杂半导体层具有与p型掺杂电极和n型掺杂电极中另外一个相同的掺杂类型；第一竖向区域，利用p型掺杂电极和n型掺杂电极中其一与第二掺杂半导体层电连接；和第二竖向区域，利用p型掺杂电极和n型掺杂电极中另外一个与第三掺杂半导体层电连接，其特征在于第一掺杂半导体层至少与第二竖向区域及p型掺杂电极和n型掺杂电极中另外一个至少一个电连接。
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