[发明专利]CMP研磨方法有效
| 申请号： | 201910698610.6 | 申请日： | 2019-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN110270924B | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 刘冲;李儒兴;吴继科;卓明川;曹秀亮 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04;H01L21/306;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供的一种CMP研磨方法包括以下步骤：提供一待研磨晶圆，所述待研磨晶圆包括中心区域和边缘区域，中心区域位于边缘区域内侧；测量待研磨晶圆的中心区域和边缘区域的膜厚；对待研磨晶圆执行第一次研磨工艺，第一次研磨工艺满足：A＞B；其中，A为中心区域和边缘区域的膜厚较大者的研磨去除率，B为中心区域和边缘区域的膜厚较小者的研磨去除率；对待研磨晶圆执行第二次研磨工艺，第二次研磨工艺满足：C＞D，C＜A，D＜B；其中，C为中心区域和边缘区域的膜厚较小者的研磨去除率，D为中心区域和边缘区域的膜厚较大者的研磨去除率，以改善了研磨后薄膜厚度的均一性，从而解决了由于研磨后薄膜厚度的均一性较差引起的金属剥离等问题。 | ||
| 搜索关键词： | cmp 研磨 方法 | ||
【主权项】：
1.一种CMP工艺方法，其特征在于，包括以下步骤；提供一待研磨晶圆，所述待研磨晶圆包括中心区域和边缘区域，所述中心区域位于所述边缘区域内侧；测量所述待研磨晶圆的中心区域和边缘区域的膜厚；对所述待研磨晶圆执行第一次研磨工艺，所述第一次研磨工艺满足：A＞B；其中，A为所述中心区域和边缘区域的膜厚较大者的研磨去除率，B为所述中心区域和边缘区域的膜厚较小者的研磨去除率；以及对所述待研磨晶圆执行第二次研磨工艺，所述第二次研磨工艺满足：C＞D，C＜A，D＜B；其中，C为所述中心区域和边缘区域的膜厚较小者的研磨去除率，D为所述中心区域和边缘区域的膜厚较大者的研磨去除率。
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