[发明专利]半导体存储装置在审
| 申请号： | 201910698705.8 | 申请日： | 2019-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN111725234A | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 伊藤孝政 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/11582 | 分类号： | H01L27/11582;H01L27/1157 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 实施方式提供一种能够提升性能的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置包含：多个配线层(22)，在第1方向上积层；半导体层(25)，在多个配线层(22)内沿第1方向延伸；第1导电层(51)，具有设置在多个配线层(22)中的最下层的下方的第1主体部、及从第1主体部向第2方向突出的第1突出部；接触插塞(40)，设置在第1导电层(51)的第1突出部上，在多个配线层(22)内沿第1方向延伸；绝缘膜(40A)，设置在接触插塞(40)与多个配线层(22)之间；第2导电层(52)，具有设置在第1导电层(51)的第1主体部上且与半导体层相接的第2主体部、及设置在第1突出部上且相对于第2主体部突出延伸的第2突出部；以及第1层(56)，设置在第1突出部上，与第2突出部及绝缘膜(40A)相接，且在第2突出部与绝缘膜(40A)之间延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
