[发明专利]一种改善CdSe/ZnS量子点QLED器件性能的有机分子掺杂的制备方法在审
| 申请号： | 201910698784.2 | 申请日： | 2019-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN110571359A | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 胡俊涛;朱钱鹏;林钰涵;李杰;王鹏;罗派峰 | 申请（专利权）人： | 合肥工业大学 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56;H01L51/50;H01L51/54;C09K11/02;C09K11/88 |
| 代理公司： | 34112 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 | 代理人： | 余成俊 |
| 地址： | 230009 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种改善CdSe/ZnS量子点QLED器件性能的有机分子掺杂的制备方法，通过将少量有机小分子CBP掺杂进CdSe/ZnS量子点QLED器件的发光层中，使得原本不太光滑，容易团聚的发光层的薄膜形貌得到很好的改善，从而得到更高效率，更高亮度的QLED器件。本发明能够精确的控制CBP掺杂比例，操作简单，重复性好所制作的QLED器件最高亮度达到13636cd/m | ||
| 搜索关键词： | 量子点 掺杂 发光层 有机小分子 薄膜形貌 亮度提升 器件效率 器件性能 有机分子 掺杂的 高效率 制备 光滑 团聚 制作 | ||
【主权项】：
1.一种改善CdSe/ZnS量子点QLED器件性能的有机分子掺杂的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：/n（1）CBP有机分子溶液的制备：取一定量的CBP粉末溶于甲苯中，形成浓度为25mg/mL 的无色透明溶液；/n（2）CdSe/ZnS量子点与CBP有机分子混合溶液的制备：分别取一定量的步骤（1）制得的CBP有机分子溶液与CdSe/ZnS量子点溶液混合，形成不同质量比的红色混合溶液；/n（3）CdSe/ZnS量子点与CBP有机分子混合溶液的薄膜制备：将步骤（2）制得的混合溶液移至手套箱中，旋涂不同质量比的溶液，之后放置于加热平台上退火，得到淡红色的薄膜。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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