[发明专利]一种利用激光切割针对假片内单颗IC芯片进行盖印的方法有效
| 申请号： | 201910700631.7 | 申请日： | 2019-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN110416130B | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 栗甲婿;董想 | 申请（专利权）人： | 沛顿科技（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;B41K1/02 |
| 代理公司： | 东莞市中正知识产权事务所(普通合伙) 44231 | 代理人： | 徐康 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用激光切割针对假片内单颗IC芯片进行盖印的方法，本方法针对wafer上进行不同IC盖印内容使用，包括如下步骤：S1：对wafer进行激光切割，在wafer的左右两侧各切割出4颗或者更多单颗IC放置孔；S2：丢弃wafer上切掉的8颗或者更多IC，在wafer的背面粘上胶带，制成单颗IC的盖印治具；S3：将一条需要镭射不同盖印的基板跳过盖印工站，将基板完整契合在盖印治具上，对盖印治具的IC孔位进行切除后，放入单颗IC的盖印治具，可最多一次盖印8颗或者更多相同内容的单颗IC。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 激光 切割 针对 假片内单颗 ic 芯片 进行 盖印 方法 | ||
【主权项】：
1.一种利用激光切割针对假片内单颗IC芯片进行盖印的方法，其特征在于：本方法针对wafer上进行不同IC盖印内容使用，包括如下步骤：S1：对wafer进行激光切割，在wafer的左右两侧各切割出4颗或者更多单颗IC放置孔；S2：丢弃wafer上切掉的8颗或者更多IC，在wafer的背面粘上胶带，制成单颗IC的盖印治具；S3：将一条需要镭射不同盖印的基板跳过盖印工站，将基板完整契合在盖印治具上，对盖印治具的IC孔位进行切除后，放入单颗IC的盖印治具，可最多一次盖印8颗或者更多相同内容的单颗IC。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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