[发明专利]一种硅片化学腐蚀工艺在审
| 申请号： | 201910701555.1 | 申请日： | 2019-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN110600373A | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 黄元凯;邹有彪;何孝鑫;顾晶伟 | 申请（专利权）人： | 富芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/67 |
| 代理公司： | 11390 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 胡剑辉 |
| 地址： | 230031 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅片化学腐蚀工艺，通过化学腐蚀的方式替代传统的研磨减薄，从而避免对硅片内部产生应力，避免在后期的生产流程中经过高温造成硅片隐裂的问题，具体的，是通过酸试腐蚀、酸腐蚀、碱试腐蚀与碱腐蚀这四步来对硅片进行腐蚀处理，本发明所述工艺在进行酸腐蚀与碱腐蚀之前，首先进行酸试腐蚀与碱试腐蚀，从而考虑到硅片的个体厚度不同以及腐蚀液使用时间以及温度等条件对腐蚀速率的影响，使腐蚀处理得到的硅片厚度更加一致，并且能够防止硅片出现腐蚀过度或者腐蚀不足的情况，使腐蚀程度能够更加准确的进行控制。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 腐蚀 腐蚀处理 碱腐蚀 酸腐蚀 化学腐蚀工艺 腐蚀不足 化学腐蚀 生产流程 研磨 传统的 腐蚀液 减薄 隐裂 替代 | ||
【主权项】：
1.一种硅片化学腐蚀工艺，其特征在于，包括如下步骤：/n步骤一、酸试腐蚀/nS1、配制酸性腐蚀液待用；/nS2、取N
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
