[发明专利]一种BOE腐蚀的工艺方法

摘要

本发明公开一种BOE腐蚀的工艺方法，在光刻工艺的刻蚀过程中，通过将硅片在酸液中上下运动后减少腐蚀过程中依附在硅片上的气泡量，然后把片架整体提出液面1S，通过压力的快速变化，使依附在硅片上的气泡易于破碎，最后再将硅片放入酸液中继续上下运动，循环腐蚀12min，从而实现对硅片的腐蚀，同时，本发明中是通过BOE腐蚀槽来对硅片进行腐蚀，通过使腐蚀液循环流动，保持在腐蚀过程中内槽内各位置腐蚀液的浓度保持一致，同时，流动的腐蚀液能够将依附在硅片上的气泡完全或大部分去除，提升硅片腐蚀的一致性，降低腐蚀过程中生成的气泡对腐蚀效果的影响。

主权项

1.一种BOE腐蚀的工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：/n步骤一、将硅片清洗后加入烘箱中，在120℃，真空度-720pa的条件下烘干处理60min，烘干后的硅片在经过匀胶后在温度为100℃的烘箱中烘烤40min后待用；/n步骤二、用有源区光刻版作为掩膜，将硅片紫外线曝光15-20秒，并将曝光后的硅片浸入显影液中显影，显影后的硅片放入温度为150℃烘箱中烘烤，时间为60min；/n步骤三、将硅片放置在片架上，再将片架浸入BOE腐蚀槽中，BOE腐蚀槽中装乘有BOE腐蚀液，腐蚀液的温度通过槽体加热器(4)加热至40±2℃，将硅片在酸液中上下运动60-80S后，把片架整体提出液面，1S后，再放入酸液中继续上下运动，循环腐蚀12min，当达到腐蚀时间后，将片架从腐蚀液中取出后，用去离子水冲洗干净，通过甩干机甩干待用；/n步骤四、将甩干后的硅片在金相显微镜下镜检，保证硅片有源区全部腐蚀干净彻底，表面无染色，光刻胶保护完好；/n步骤五、将通过检验的硅片放入去胶液中浸泡去胶，用去离子水冲洗后甩干机甩干，检验合格后进入下一工序。/n