[发明专利]一种硅基扇出型晶圆级封装方法及结构在审
| 申请号： | 201910701998.0 | 申请日： | 2019-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN110379780A | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 王成迁;明雪飞;吉勇 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/367;H01L23/488 |
| 代理公司： | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 杨立秋 |
| 地址： | 214000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种硅基扇出型晶圆级封装方法及结构，属于集成电路封装技术领域。首先提供硅基，在所述硅基正面刻蚀散热通道并沉积截止层；在所述截止层上键合第一玻璃载板；然后在所述硅基背面刻蚀出凹槽，埋入芯片并用干膜材料填满；接着利用光刻在芯片的焊盘处开口，形成第一层布线；在第二玻璃载板上依次制作钝化层、n层布线和微凸点，并与所述第一层布线键合；再拆解第二玻璃载板，并制作阻焊层和凸点；拆解第一玻璃载板，切成单颗芯片，完成封装。 | ||
| 搜索关键词： | 硅基 玻璃载板 晶圆级封装 芯片 第一层 截止层 扇出型 布线 拆解 集成电路封装 背面刻蚀 布线键合 材料填满 散热通道 钝化层 微凸点 阻焊层 沉积 干膜 光刻 焊盘 键合 刻蚀 埋入 凸点 封装 制作 开口 并用 | ||
【主权项】：
1.一种硅基扇出型晶圆级封装方法，其特征在于，包括：提供硅基，在所述硅基正面刻蚀散热通道并沉积截止层；在所述截止层上键合第一玻璃载板；在所述硅基背面刻蚀出凹槽，埋入芯片并用干膜材料填满；利用光刻在芯片的焊盘处开口，形成第一层布线；在第二玻璃载板上依次制作钝化层、n层布线和微凸点，并与所述第一层布线键合；拆解第二玻璃载板，并制作阻焊层和凸点；拆解第一玻璃载板，切成单颗芯片，完成封装。
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