[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201910702058.3 | 申请日： | 2019-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN112309864B | 公开（公告）日： | 2023-10-17 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/10;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，第一区域基底表面高于第二区域基底表面，第二区域基底上形成有一个或多个堆叠的底部沟道叠层，第一区域基底上和第二区域底部沟道叠层上形成有一个或多个堆叠的顶部沟道叠层；形成栅极结构，第一区域栅极结构横跨顶部沟道叠层，第二区域栅极结构横跨顶部沟道叠层和底部沟道叠层；刻蚀第一区域栅极结构两侧的顶部沟道叠层、以及第二区域栅极结构两侧的顶部沟道叠层和底部沟道叠层，在第一区域顶部沟道叠层中第一凹槽，在第二区域顶部沟道叠层和底部沟道叠层中形成第二凹槽；在第一凹槽和第二凹槽中形成源漏掺杂层。本发明满足不同电路中对具有不同性能的器件的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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