[发明专利]分离装置在审
申请号: | 201910703372.3 | 申请日: | 2019-07-31 |
公开(公告)号: | CN112310240A | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 邹金成;王敬苗;申兵兵 | 申请(专利权)人: | 东泰高科装备科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 罗蔓 |
地址: | 102209 北京市昌平*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种分离装置。分离装置包括:固定机构,包括固定吸板组件和辅助吸附平台,固定吸板组件为叉状结构,固定吸板组件相对辅助吸附平台固定设置,辅助吸附平台包括辅助吸板和驱动机构,驱动机构用于驱动辅助吸板相对固定吸板组件移动;旋转机构,包括驱动组件和薄膜吸附组件;薄膜吸附组件的吸附平面具有与固定吸板组件和辅助吸附平台的吸附平面相对,且薄膜吸附组件的吸附平面与固定吸板组件的吸附平面相贴合的结合位置;薄膜吸附组件的吸附平面具有与固定吸板组件和辅助吸附平台的吸附平面相互分离的分离位置。本发明的分离装置能够提高晶片和薄膜的分离成功率。 | ||
搜索关键词: | 分离 装置 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的