[发明专利]一种基于IBIS模型模拟系统级封装剂量率效应的方法

摘要

本发明公开了一种基于IBIS模型模拟系统级封装剂量率效应的方法，别是瞬时剂量率效应。利用系统级封装内部不同子芯片的IBIS模型和版图布线的电气特性，通过信号完整性仿真检测各集成电路中敏感引脚、敏感网络和信号响应；并给出了评估瞬时剂量率效应导致的辐射脉冲在系统级封装内不同子芯片之间的传播的一般方法。本方法将在IBIS模型的基础上，实现瞬时电流信号传递的较高精度模拟，同时巧妙地避开了SPICE模型因包含了芯片详细的内部信息而不便公开以至于难以获得的困难以及仿真速度慢的情况。

主权项

1.一种基于IBIS模型模拟系统级封装剂量率效应的方法，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤1、获得系统级封装内部所有子芯片的IBIS模型；/n步骤2、对系统级封装内部所有子芯片进行实验测量，在不同软件中结合步骤1得到的IBIS模型和系统级封装版图获得系统级封装内部所有子芯片的敏感管脚拓扑结构以及敏感管脚的瞬态电流/电压脉冲；/n步骤3、用不同软件检验步骤2建立的子芯片敏感管脚拓扑结构是否正确，若检验结果为正确，则进行步骤4，否则调整步骤2建立的敏感管脚拓扑结构，直至检验结果为正确；/n步骤4、向通过检验的敏感管脚拓扑结构添加瞬态脉冲进行仿真，得到脉冲信号在敏感管脚拓扑结构中的传递过程和进入下级子芯片的响应信号；/n步骤5、分析敏感管脚拓扑结构中与敏感管脚相关联的下级子芯片对瞬态脉冲的响应：结合下级子芯片的功能与输入至下级子芯片的瞬态脉冲信号，获得步骤4中进入下级子芯片的响应信号对下级子芯片的响应；/n步骤6、对所有敏感管脚拓扑结构的瞬态脉冲响应进行统计；/n步骤7、追踪步骤6中所有下级子芯片的异常输出管脚，对于步骤6中下级子芯片仿真出现异常的管脚，视所有异常管脚为敏感管脚，建立异常管脚的敏感管脚拓扑结构，重复步骤3至步骤6，直到经过不同子芯片传播的瞬态脉冲对下级子芯片的输出没有影响为止；获得瞬态脉冲在系统级封装内部各子芯片之间的传播规律。/n