[发明专利]沟槽隔离结构及其形成方法、图像传感器有效
| 申请号： | 201910705006.1 | 申请日： | 2019-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN110444551B | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 翟仁杰;内藤达也 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市一法律师事务所 11654 | 代理人： | 刘荣娟 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请提供一种沟槽隔离结构及其形成方法、图像传感器，所述沟槽隔离结构包括：半导体衬底，包括若干像素单元区域；第一沟槽，形成在所述像素单元区域中，相邻第一沟槽之间的距离与入射光在所述相邻第一沟槽之间的半导体区域的反射率相关，所述入射光在不同关键尺寸的半导体区域的反射率不同。采用该沟槽隔离结构能够使不同波长的入射光在半导体区域中的反射率达到较高或最高，从而大幅度提高图像传感器的灵敏度和量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 结构 及其 形成 方法 图像传感器 | ||
【主权项】：
1.一种沟槽隔离结构，其特征在于，包括：半导体衬底，包括若干像素单元区域；第一沟槽，形成在所述像素单元区域中，相邻第一沟槽之间的距离与入射光在所述相邻第一沟槽之间的半导体区域的反射率相关，所述入射光在不同关键尺寸的半导体区域的反射率不同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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