[发明专利]基于衬底硫化预处理的单层二硫化钼的制备方法有效
| 申请号： | 201910705361.9 | 申请日： | 2019-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN110451564B | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 丛春晓;杨鹏;仇志军;刘冉 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | C01G39/06 | 分类号： | C01G39/06 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;陆尤 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于二维半导体材料技术领域，具体为基于衬底硫化预处理的单层二硫化钼的制备方法。本发明以硅片作为生长衬底，在衬底经过清洗之后，将其置于石英试管中在含硫蒸气的环境下进行硫化处理，接着采用化学气相沉积的方法制备单层二硫化钼。本发明通过优化衬底硫化处理的温度、时间，制备出高质量的单层二硫化钼单晶及大面积连续薄膜。该方法过程简单，无需价格昂贵的硫化源及生长源。所制备的高质量单层二硫化钼可以用于制备具有更高荧光量子产率、更优异性能的特殊功能的光电子器件和微纳电子器件。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 衬底 硫化 预处理 单层 二硫化钼 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于衬底硫化预处理的单层二硫化钼的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：/n（1） 对硅片衬底进行硫化处理：将硫单质固体和硅片衬底分别置于石英试管中，调整硫源和衬底至合适位置，在持续通入氮气保护气体的双温区管式炉中分别对硫单质和衬底加热，在硫蒸气环境下，在衬底表面形成与硫形成化学键的硫化层；/n（2） 在经步骤（1）处理的衬底上旋涂50-100 μmol/L的3, 4, 9, 10, -芘四羧酸钾盐溶液，以促进二硫化钼的成核和生长；/n（3） 以单质硫和钼源三氧化钼粉末作为生长源，调整衬底与单质硫、钼源至合适位置，采用化学气相沉积法在经步骤（2）处理的衬底上生长单层二硫化钼，即得到光学质量很好的单层二硫化钼。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于复旦大学，未经复旦大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910705361.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
