[发明专利]反应腔室有效
| 申请号： | 201910706810.1 | 申请日： | 2019-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN110400768B | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 邓晓军 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;C30B25/14 |
| 代理公司： | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人： | 兰天爵 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种反应腔室，包括腔体、设置在腔体内的基座，还包括进气装置，该进气装置包括与所述基座的承载面相垂直的出气面，出气面上设置有中心出气口组、中间出气口组和边缘出气口组；其中，中心出气口组、中间出气口组和所述边缘出气口组分别与基座的中心区域、中间区域和边缘区域一一对应。通过本发明解决了大尺寸基板外延生长薄膜厚度分布不均匀，以及均匀性可调性差的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 反应 | ||
【主权项】：
1.一种反应腔室，包括腔体、设置在所述腔体内的基座，其特征在于，还包括进气装置，所述进气装置包括与所述基座的承载面相垂直的出气面，所述出气面上设置有中心出气口组、中间出气口组和边缘出气口组；其中，所述中心出气口组、所述中间出气口组和所述边缘出气口组分别与所述基座的中心区域、中间区域和边缘区域一一对应。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
