[发明专利]一种钙硼硅系高热膨胀陶瓷基板材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201910707119.5 | 申请日： | 2019-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN110357597A | 公开（公告）日： | 2019-10-22 |
| 发明（设计）人： | 李波;王志勇;张树人 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C04B35/14 | 分类号： | C04B35/14;C04B35/622;C04B35/626;C04B35/638 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 甘茂 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于电子陶瓷基板材料技术领域，提供一种钙硼硅系高热膨胀陶瓷基板材料及其制备方法，满足大规模集成电路陶瓷球栅阵列(CBGA)封装基板的要求。本发明陶瓷材料的组分包括：B2O3：3～12wt％，Al2O3：2～5wt％，SiO2：50～70wt％，CaO：10～40wt％，CuO与ZrO2混合物：3～10wt％。本发明陶瓷材料具有高的抗弯强度(高达到190MPa)和杨氏模量(60～85GPa)，对于芯片有一个良好的物理保护作用；高热膨胀系数(10～11ppm/℃)，能与PCB板相匹配，克服了热失配的问题；低的介电常数(5～5.5@1MHz)，有利于信号的高速传输；低的介电损耗(<8.5×10‑4@1MHz)，减小了信号传输中的热损耗；在微波频率下也适用，介电常数5.4～5.8(1～10GHz)，介电损耗<4×10‑3(1～10GHz)。 | ||
| 搜索关键词： | 介电常数 介电损耗 膨胀陶瓷 陶瓷材料 高热 硼硅 制备 大规模集成电路 高热膨胀系数 陶瓷球栅阵列 电子陶瓷 封装基板 高速传输 基板材料 微波频率 物理保护 信号传输 杨氏模量 混合物 热失配 热损耗 减小 抗弯 匹配 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种钙硼硅系高热膨胀陶瓷基板材料，其特征在于，以质量百分比计，所述陶瓷基板材料的组分包括：B2O3：3～12wt％，SiO2：50～70wt％，CaO：10～40wt％，Al2O3：1～4wt％，CuO与ZrO2混合物：3～10wt％；其中，CuO与ZrO2混合物为两者任意比例的混合物。
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