[发明专利]一种混合PiN结肖特基二极管及制造方法有效
| 申请号： | 201910707755.8 | 申请日： | 2019-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN110571281B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 任娜 | 申请（专利权）人： | 山东天岳电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/868;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11716 | 代理人： | 王素花 |
| 地址： | 250118 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种混合PiN结肖特基二极管及制造方法，混合PiN结肖特基二极管包括：等离子扩散层和半导体区域；半导体区域设置在外延层表面的下方；半导体区域包括：多个元胞，每一个元胞包括：一个第一区域和多个第二区域；等离子扩散层设置在外延层表面的下方，且等离子扩散层包括多个等离子扩散通道，每一个等离子扩散通道连通两个元胞中的第一区域，并穿过元胞中各第二区域；第一区域、多个第二区域、等离子扩散层与外延层构成混合PiN结肖特基二极管的PN结。本申请能够提高混合PiN结肖特基二极管的抗浪涌电流能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 混合 pin 结肖特基 二极管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种混合PiN结肖特基二极管，其特征在于，包括：等离子扩散层和半导体区域；/n所述半导体区域设置在外延层表面的下方；/n所述半导体区域包括：多个元胞，每一个元胞包括：一个第一区域和多个第二区域；所述第一区域与所述第二区域的在所述外延层中的深度相同，所述第一区域的宽度大于所述第二区域的宽度；/n所述等离子扩散层设置在所述外延层表面的下方，且所述等离子扩散层包括多个等离子扩散通道，每一个所述等离子扩散通道连通两个所述元胞中的所述第一区域，并穿过所述元胞中各所述第二区域；所述第一区域、多个所述第二区域、所述等离子扩散层与所述外延层构成所述混合PiN结肖特基二极管的PN结。/n
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