[发明专利]一种异构集成射频放大器结构有效
| 申请号： | 201910708220.2 | 申请日： | 2019-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN110620556B | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 常虎东;孙兵;杨枫;丁武昌;刘洪刚;金智 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H03F1/26 | 分类号： | H03F1/26;H03F3/16;H03F3/24 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 刘广达 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公布了一种异构集成射频放大器结构，包括：第一化合物半导体器件、第二化合物半导体器件、第三化合物半导体器件和第四化合物半导体器件；第一硅基PMOS器件和第二硅基PMOS器件；第一硅基PMOS器件的源极连接第三化合物半导体器件的集电极，第二硅基PMOS器件的源极连接第四化合物半导体器件的集电极；第一硅基PMOS器件的源极和第三化合物半导体器件的集电极连接电压输出端的第一端，第二硅基PMOS器件的源极和第四化合物半导体器件的集电极连接电压输出端的第二端；第一化合物半导体器件的基极连接电压输入端的第一端，第二化合物半导体器件的基极连接电压输入端的第二端。本发明实现在更高频率上更高性能的功率放大器，实现更好的电压放大性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 射频放大器 结构 | ||
【主权项】：
1.一种异构集成射频放大器结构，其特征在于，该放大器结构包括：/n第一化合物半导体器件、第二化合物半导体器件、第三化合物半导体器件和第四化合物半导体器件；/n第一硅基PMOS器件和第二硅基PMOS器件；/n所述第一硅基PMOS器件的源极连接第三化合物半导体器件的集电极，所述第二硅基PMOS器件的源极连接第四化合物半导体器件的集电极；/n所述第一硅基PMOS器件的源极和第三化合物半导体器件的集电极连接电压输出端的第一端，所述第二硅基PMOS器件的源极和第四化合物半导体器件的集电极连接电压输出端的第二端；/n所述第一化合物半导体器件的基极连接电压输入端的第一端，所述第二化合物半导体器件的基极连接电压输入端的第二端。/n
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