[发明专利]一种肖特基二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 201910708545.0 | 申请日： | 2019-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN110534583B | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 任娜 | 申请（专利权）人： | 山东天岳电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11716 | 代理人： | 王素花 |
| 地址： | 250118 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种肖特基二极管及其制备方法，用以解决PN结设置不合理的问题。肖特基二极管包括衬底、外延层以及金属层。外延层形成于衬底上，为第一导电类型的区域；外延层背离衬底的一侧设有若干第二导电类型的区域，第二导电类型的区域与第一导电类型的区域之间形成PN结；其中，第二导电类型的区域包括若干第一区域和第二区域，第一区域沿外延层表面的宽度大于第二区域的宽度，每两个相邻的第一区域之间设有若干第二区域，第一区域按照第一预设间隔排布，第二区域按照第二预设间隔排布；金属层形成于外延层背离衬底的一侧，外延层的表面除第二导电类型的区域之外的区域，与金属层形成肖特基结。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种肖特基二极管，其特征在于，包括衬底、外延层和金属层；/n所述外延层形成于所述衬底上，且所述外延层为第一导电类型的区域；/n所述外延层背离所述衬底的一侧设有若干第二导电类型的区域，所述第二导电类型的区域与所述第一导电类型的区域之间形成PN结；其中，所述第二导电类型区域包括若干第一区域和第二区域，所述第一区域沿所述外延层表面的宽度大于所述第二区域的宽度，每两个相邻的第一区域之间设有若干第二区域，所述第一区域按照第一预设间隔排布，所述第二区域按照第二预设间隔排布；/n所述金属层形成于所述外延层背离所述衬底的一侧，所述外延层的表面除所述第二导电类型的区域之外的区域，与所述金属层形成肖特基结。/n
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