[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201910709932.6 | 申请日： | 2019-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN111063689B | 公开（公告）日： | 2023-10-27 |
| 发明（设计）人： | 石田贵士;杉本尚丈;菅野裕士;冈本达也 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B43/30 | 分类号： | H10B43/30;H10B43/27 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施方式提供一种能够减小半导体层内的晶粒的粒径的半导体装置及其制造方法。根据一实施方式，半导体装置具备：第1半导体层，作为具有导电性的多晶半导体层；第2半导体层，设置在所述第1半导体层上，作为具有导电性且粒径比所述第1半导体层小的多晶半导体层；及多个电极层，在第1方向相互隔开而积层于所述第2半导体层上。所述装置还具备：第3半导体层，在所述第1半导体层、所述第2半导体层、及各所述电极层内，以在所述第1方向延伸的方式设置，且以与所述第2半导体层相接的方式设置；及电荷储存层，设置于所述多个电极层与所述第3半导体层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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